阿布来提·阿布力孜教授
入职时间：2017年7月
学历：博士研究生
职称：教授 博导
办公地点：物理楼A307
所属学科：物理学（凝聚态物理）
研究方向：半导体物理与微电子器件
招生专业：物理学（凝聚态物理）微电子学
Email:ablatabliz@whu.edu.cn;
联系地址：新疆乌鲁木齐市水磨沟区华瑞街777号，830017
个人简介：阿布来提·阿布力孜，男，维吾尔族，中共党员，理学博士，教授，博士研究生导师。2017年6月在武汉大学获凝聚态物理理学博士学位。2017年7月进入新疆大学物理科学与技术学院任教，主要研究方向是高性能薄膜晶体管及其相关问题研究，重点研究氧化物薄膜晶体管以及晶体管在平板显示器中的应用。主持国家自然科学基金，自治区自然基金和省部级人才项目等多项。从事科研工作以来在Adv. Funct. Mater.，ACS Appl. Mater. Interfaces, Appl. Phys. Lett.,IEEE Electron Device Letters,IEEE Transaction Electron Devices,Applied Surface Science,Journal of Physics D: Applied Physics,Chinese Journal of Physics等专业学术期刊上已发表SCI学术论文30篇，国家发明专利3项。
教育经历：
1.2004年9月-2009年6月 喀什大学 物理学 本科 理学学士
2.2011年9月-2014年6月 新疆大学 凝聚态物理 研究生 理学硕士
3.2014年9月-2017年6月 武汉大学 凝聚态物理 研究生 理学博士
工作经历：
1.2017年7月-2019年8月 新疆大学物理科学与技术学院 教师
2.2019年9月-2024年12月 新疆大学物理科学与技术学院 副教授
3.2025年1月-至今 新疆大学物理科学与技术学院 教授
科研项目：
1.科技部重大专项(国际合作)项目子课题，2023.4-2026.3，负责人，在研；
2.自治区天山英才青年拔尖科技创新人才项目，2023.3-2026.3，负责人，在研；
3.自治区自然科学基金面上项目，2022.12-2025.12，负责人，已结题；
4.国家自然科学基金地区项目，2021.1-2024.12，负责人，已结题；
5.国家自然科学基金青年项目，2019.1-2021.12，负责人，已结题；
6.自治区自然科学基金青年项目，2018.7-2021.6，负责人，已结题；
7.自治区天山青年博士人才项目，2020.1-2022.12，负责人，已结题；
8.自治区天池优秀博士人才项目，2018.8-2020.7，负责人，已结题；
9.新疆大学博士启动基金，2019.1-2020.12，负责人，已结题；
10.自治区计量测试研究院，2021.1-2021.12，项目负责人，已结题。
代表论文（加*为通讯作者）：
(1)Zhenyu Han, Da Wan,AblatAbliz*,Rational Fabrication of Dual-Channel Layered InGaSnO Thin-Film Transistors Through High-/Low-Power Sputtering Technique,IEEE Transactions on Electron Devices,73(2026)367-373.
(2)Zhenyu Han, Panxing Li,AblatAbliz*, Effects of different metal electrode layer on the electrical performances of InGaSnO thin-film transistors.Materials Science in Semiconductor Processing,24(2026)110304.
(3)GenglongZhao,AblatAbliz*,Effects of Al Contents on theElectrical Performance and Low Frequency Noise Properties of InAlZnO Thin Film Transistors,Applied Physics Letters,127(2025)172109.
(4)Xiaocheng Ma,Ablat Abliz*,Da Wan*, Jingli Wang, Xingqiang Liu*,Enhancing the electrical performance and stability of Hf-doped InZnO thin film transistors using dual-target co-sputtering technique,Applied Physics Letters,127(2025)143503.
(5)Genglong Zhao,Ablat Abliz*, Rational design of high-performance dual-channel-layered InAlZnO thin-film transistors for low power and transparent electronics,Applied Surface Science,711(2025)164113.
(6)Xiaocheng Ma,Ablat Abliz*, Effects of Different Contents Yttrium Doping on the Electrical Performance and Stabilityof Bilayer IZO/IYZO Thin-Film Transistors,AppliedPhysicsLetters,126(2025)143506.
(7)Muhpul Alip,Ablat Abliz*, Design of High-Performance Dual Channel Layered InGaZnO Thin-Film Transistors With Different Indium Contents,IEEE Transactions on Electron Devices,72(2025)1802-1808.
(8)Nurmamat Patigul,RuiLi, LinyuYang,MamatrishatMamat*,Ablat Abliz*,Effects of N2O plasma treatment on the performance and stability of high indium content InGaZnO thin-film transistors,Journal of Physics D: Applied Physics,58(2025)085308.
(9)Maohang Zheng,Ablat Abliz*,Design of different oxygen content and high performance bilayer In2O3thin-film transistors at room temperature for flexible electronics,Applied Surface Science,681(2025)161510.
(10)Zhenyu Han,Ablat Abliz*, Investigation of the electrical performance and carrier transport mechanism for heterostructured bilayer In2O3/InGaSnO thin-film transistors,AppliedPhysicsLetters,125(2024)233502.
(11)Patigul Nurmamat,Ablat Abliz*,Rational Design of Different Ga Content BilayerInGaZnO Thin-Film Transistors WithAl2O3/HfO2Passivation Layer,IEEE TransactionsonElectron Devices,71(2024)3032-3038.
(12)Zhenyu Han, Jiajun Han,Ablat Abliz*,Enhanced electrical performance of InGaSnO thin-film transistors bydesigning a dual-active-layer structure”,Applied Surface Science,648(2024)158995.
(13)Jiajun Han, Qingfeng He,Ablat Abliz*,Fabrication and investigation of the electrical performance ofnitrogenated bilayer ZnO:N/ZnO thin-film transistors,Chinese Journal of Physics,85(2023)318-325.
(14)Jiajun Han,Ablat Abliz*, Da Wan*,Impact of hydrogen plasma treatment on the electricalperformances of ZnO thin-film transistors,Chinese Journal of Physics,77(2022)327-334.
(15)Ablat Abliz*,Patigul Nurmamat,Da Wan*,Rational design of oxide heterostructure InGaZnO/TiO2for high-performance thin-film transistors,Applied Surface Science,609(2023)155257.
(16)Ablat Abliz*,X.Xue, X.Liu*,G. Li,L.Tang,Rationaldesign ofhydrogen andnitrogen co-dopedZnOforhighperformancethin-filmtransistors,AppliedPhysicsLetters,118( 2021)123504.
(17)Ablat Abliz*,Hydrogenation of Mg-Doped InGaZnO Thin-FilmTransistors for Enhanced Electrical Performance and Stability,IEEE TransactionsonElectron Devices,68(2021)3379-3383.
(18)Ablat Abliz*, A. Rusul*, H. Duan, A. Maimaiti, L. Yang, M. Zhang, Z. Yang“Investigation of theelectricalproperties andstability of HfInZnOthin-filmtransistors”,Chinese Journal of Physics,68(2020)788-795.
(19)Ablat Abliz*,D.Wan*, H.Duana, L.Xu,Low-frequencynoise inhighperformances andstability of Li-doped ZnOthin-filmtransistors,Journal of Physics D: Applied Physics,53(2020)415110.
(20)Ablat Abliz*, Effects of hydrogen plasma treatment on the electrical performancesand reliability of InGaZnO thin-film transistors,Journal of Alloys and Compounds,831(2020)154694.
(21)Ablat Abliz,L. Xu*,H. Duan, J. Wang, S. Luo, C. Liu*,Effects ofyttriumdoping on theelectricalperformances andstability of ZnOthin-filmtransistors,Applied Surface Science,475(2019)565-570.
(22)Ablat Abliz*, D. Wan,L. Xu, H. Duan*,Investigation on theelectricalperformancesandstability of W-doped ZnOthin-filmtransistors,Materials Science in Semiconductor Processing,95(2019)54-58.
(23)Ablat Abliz,D.Wan, Y.Yang*, H.Duan,L.Liao*,Enhanced reliability of InGaZnO thin film transistors through design of dual passivation layer,IEEETransactionsonElectron Devices, 65 (2018) 2844-2849.
(24)Ablat Abliz,Q.Gao, D.Wan, X.Liu, L.Xu, L.Liao*,Effects of nitrogen and hydrogen co-doping on the electrical performance and reliability of InGaZnO thin film transistors,ACS Appl. Mater. Interfaces, 9 (2017) 10798-10804.
(25)Ablat Abliz, C.-W.Huang, J.Wang, L.Xu, L.Liao*,Rational design of ZnO:H/ZnO bilayer structure for high performance thin film transistors”,ACS Appl. Mater. Interfaces, 8 (2016) 7862-7868.
(26)Ablat Abliz,J.Wang,L.Xu,D.Wan, L.Liao*, Boost up the electrical performance of InGaZnO thin film transistors by inserting an ultrathin InGaZnO:H layer,AppliedPhysicsLetters,108 (2016) 213501.
主讲课程：
大学物理实验，大学物理，半导体物理学
社会兼职：
Adv. Funct. Mater.，ACS Appl. Mater. Interfaces, Appl. Phys. Lett.,IEEE Electron Device Letters,IEEE Transaction Electron Devices,Applied Surface Science,Journal of Physics D: Applied Physics,物理学报等国内外专业学术期刊审稿专家和教育部硕博士论文审稿专家。
获奖情况：
1.2024入选全球前2%顶尖科学家“2024年度科学影响力排行榜”；
2.2022年，自治区“天山英才-青年拔尖科技创新人才”入选者；
3.2020年，自治区“天山雪松青年博士”人才入选者；
4.2018年，自治区“天池优秀博士”人才入选者；
5.2017年，武汉大学“博士研究生学术创新奖”二等奖；
6.2016年，武汉大学博士研究生国家奖学金；
指导研究生获得荣誉：
1.韩嘉俊同学荣获“2023年硕士研究生国家奖学金”；
2.郑茂航同学荣获“2024年硕士研究生国家奖学金”；
3.赵庚龙同学荣获“2025年硕士研究生国家奖学金”；
4.马小成同学荣获“2025年硕士研究生国家奖学金”；
