| 阿布来提•阿布力孜 教授 |
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出生年月： |
1986年1月 |
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籍贵： |
新疆 |
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民族： |
维吾尔族 |
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学历学位： |
博士研究生、理学博士 |
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职称： |
教授、博导 |
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研究方向： |
半导体物理与微电子器件 |
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招生专业： |
物理学（凝聚态物理）微电子学 |
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Email： |
ablatabliz@whu.edu.cn; ablatabliz@xju.edu.cn |
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联系地址： |
新疆乌鲁木齐市水磨沟区华瑞街777号，830017 |
阿布来提·阿布力孜，男，维吾尔族，中共党员，理学博士，教授，博士研究生导师。2017年6月在武汉大学获凝聚态物理理学博士学位。2017年7月进入新疆大学物理科学与技术学院任教，主要研究方向是高性能薄膜晶体管及其相关问题研究，重点研究氧化物薄膜晶体管以及晶体管在平板显示器中的应用。主持国家自然科学基金，自治区自然基金和省部级人才项目等多项。从事科研工作以来在ACS Appl. Mater. Interfaces, Appl. Phys. Lett., IEEE Electron Device Letters, IEEE Transaction Electron Devices, Applied Surface Science, Journal of Physics D: Applied Physics 等专业学术期刊上已发表SCI学术论文30篇，国家发明专利3项。从参加工作以来，先后承担本科生大学物理实验、大学物理和研究生半导体物理等课程的教学。 |
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| 承担主要科研项目： |
| [1] 科技部重大专项 (国际合作) 项目子课题，2023.4-2026.3，负责人，在研； |
| [2] 自治区天山英才青年拔尖科技创新人才项目，2023.3-2026.3，负责人，在研； |
| [3] 自治区自然科学基金面上项目，2022.12-2025.12，负责人，在研； |
| [4] 国家自然科学基金地区项目，2021.1-2024.12，负责人，已结题； |
| [5] 国家自然科学基金青年项目，2019.1-2021.12，负责人，已结题； |
| [6] 自治区自然科学基金青年项目，2018.7-2021.6，负责人，已结题； |
| [7] 自治区天山青年博士人才项目，2020.1-2022.12，负责人，已结题； |
| [8] 自治区天池优秀博士人才项目，2018.8-2020.7，负责人，已结题； |
| [9] 新疆大学博士启动基金，2019.1-2020.12，负责人，已结题； |
| [10] 自治区计量测试研究院，2021.1-2021.12，项目负责人，已结题。 |
| 发表主要学术论文（注：加*号为通讯作者） |
| [1]Xiaocheng Ma, Ablat Abliz*, Effects of Different Contents Yttrium Doping on the Electrical Performance and Stability of Bilayer IZO/IYZO Thin-Film Transistors, Applied Physics Letters, 126 (2025) 143506. |
| [2]Muhpul Alip, Ablat Abliz*, Design of High-Performance Dual Channel Layered InGaZnO Thin-Film Transistors With Different Indium Contents, IEEE Transactions on Electron Devices, 72 (2025) 1802-1808. |
| [3]Nurmamat Patigul, Rui Li, Linyu Yang, Mamatrishat Mamat*, Ablat Abliz*, Effects of N2O plasma treatment on the performance and stability of high indium content InGaZnO thin-film transistors, Journal of Physics D: Applied Physics, 58 (2025) 085308. |
| [4]Maohang Zheng, Ablat Abliz*, Design of different oxygen content and high performance bilayer In2O3 thin-film transistors at room temperature for flexible electronics, Applied Surface Science, 681 (2025) 161510. |
| [5]Zhenyu Han, Ablat Abliz*, Investigation of the electrical performance and carrier transport mechanism for heterostructured bilayer In2O3/InGaSnO thin-film transistors, Applied Physics Letters, 125 (2024) 233502. |
| [6]Patigul Nurmamat, Ablat Abliz*, Rational Design of Different Ga Content Bilayer InGaZnO Thin-Film Transistors With Al2O3/HfO2 Passivation Layer, IEEE Transactions on Electron Devices, 71 (2024) 3032-3038. |
| [7]Zhenyu Han, Jiajun Han, Ablat Abliz*, Enhanced electrical performance of InGaSnO thin-film transistors by designing a dual-active-layer structure”, Applied Surface Science, 648 (2024) 158995. |
| [8]Jiajun Han, Qingfeng He, Ablat Abliz*, Fabrication and investigation of the electrical performance of nitrogenated bilayer ZnO:N/ZnO thin-film transistors, Chinese Journal of Physics, 85 (2023) 318-325. |
| [9]Jiajun Han , Ablat Abliz*, Da Wan*, Impact of hydrogen plasma treatment on the electrical performances of ZnO thin-film transistors, Chinese Journal of Physics, 77 (2022)327-334. |
| [10]Ablat Abliz*, Patigul Nurmamat, Da Wan*,Rational design of oxide heterostructure InGaZnO/TiO2 for high-performance thin-film transistors, Applied Surface Science, 609 (2023) 155257. |
| [11]Ablat Abliz*, X. Xue, X. Liu*, G. Li, L. Tang, Rational design of hydrogen and nitrogen co-doped ZnO for high performance thin-film transistors, Applied Physics Letters, 118 ( 2021) 123504. |
| [12]Ablat Abliz*, Hydrogenation of Mg-Doped InGaZnO Thin-Film Transistors for Enhanced Electrical Performance and Stability, IEEE Transactions on Electron Devices, 68 (2021) 3379-3383. |
| [13]Ablat Abliz*, A. Rusul*, H. Duan, A. Maimaiti, L. Yang, M. Zhang, Z. Yang “Investigation of the electrical properties and stability of HfInZnO thin-film transistors”, Chinese Journal of Physics, 68 (2020) 788-795. |
| [14]Ablat Abliz*, D. Wan*, H. Duana, L. Xu, Low-frequency noise in high performances and stability of Li-doped ZnO thin-film transistors, Journal of Physics D: Applied Physics, 53 (2020) 415110. |
| [15]Ablat Abliz*, Effects of hydrogen plasma treatment on the electrical performances and reliability of InGaZnO thin-film transistors, Journal of Alloys and Compounds, 831 (2020) 154694. |
| [16]Ablat Abliz, L. Xu*, H. Duan, J. Wang, S. Luo, C. Liu*, Effects of yttrium doping on the electrical performances and stability of ZnO thin-film transistors, Applied Surface Science, 475 (2019) 565-570. |
| [17]Ablat Abliz*, D. Wan, L. Xu, H. Duan*, Investigation on the electrical performances and stability of W-doped ZnO thin-film transistors, Materials Science in Semiconductor Processing, 95 (2019) 54-58. |
| [18]Ablat Abliz, D. Wan, Y. Yang*, H. Duan, L. Liao*, Enhanced reliability of InGaZnO thin film transistors through design of dual passivation layer, IEEE Transactions on Electron Devices, 65 (2018) 2844-2849. |
| [19]Ablat Abliz, Q. Gao, D. Wan, X. Liu, L. Xu, L. Liao*, Effects of nitrogen and hydrogen co-doping on the electrical performance and reliability of InGaZnO thin film transistors, ACS Appl. Mater. Interfaces, 9 (2017) 10798-10804. |
| [20]Ablat Abliz, C.-W. Huang, J. Wang, L. Xu, L. Liao*, Rational design of ZnO:H/ZnO bilayer structure for high performance thin film transistors”, ACS Appl. Mater. Interfaces, 8 (2016) 7862-7868. |
| [21]Ablat Abliz, J. Wang, L. Xu, D. Wan, L. Liao*, Boost up the electrical performance of InGaZnO thin film transistors by inserting an ultrathin InGaZnO:H layer, Applied Physics Letters,108 (2016) 213501. |
| 教学研究 |
| [1]阿布来提·阿布力孜，阿合买提江·买买提*，杨氏模量教学实验的改进，大学物理实验，2021, 34 (3): 31-35. |
| [2]阿布来提·阿布力孜*，大学物理实验教学改革与探索，科教导刊，2021, 1 (2): 144-145. |
| [3]阿布来提·阿布力孜*，大学物理教学中强化创新素质与能力的培养，教育现代化，2020, 7 (65): 138-141. |
| 主要获奖情况 |
| [1] 2024入选全球前2%顶尖科学家“2024年度科学影响力排行榜”； |
| [2] 2022年，自治区“天山英才-青年拔尖科技创新人才”入选者； |
| [3] 2020年，自治区“天山雪松青年博士”人才入选者； |
| [4] 2018年，自治区“天池优秀博士”人才入选者； |
| [5] 2017年，武汉大学“博士研究生学术创新奖”二等奖； |
| [6] 2016年，武汉大学博士研究生国家奖学金； |
