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卡马勒·托克达尔汗
2020-10-12 10:33     (查看次数)

卡马勒·托克达尔汗  副教授

卡马勒·托克达尔汗,女,哈萨克族,中共党员,工学博士,副教授,硕士研究生导师。2014年3月博士毕业于东京工业大学,2014年4月至2015年7月在日本东芝集团锂电池研究组从事了研究工作,2015年9月以来在新疆大学物理科学与技术学院从事教学科研工作,主要研究方向为半导体物理与器件,重点研究高k栅介质/金属栅MOS器件中的关键问题。近年来主持国家自然科学基金一项、新疆维吾尔自治区自然科学基金项目一项,参与国家自然科学基金3项。先后在Appl. Phys. Lett.,Mater. Res. Express等重要国际学术期刊上发表SCI收录学术论文5余篇。自工作以来,先后承担大学物理实验、基础物理、材料物理、材料腐蚀与防护等课程的教学。

承担主要科研项目:

[1] 国家自然科学基金青年科学基金项目,5160021366,CMOS器件用金属碳化物栅极材料的制备和性能研究,2017/01-2019/12,20万元,主持人。

[2] 新疆维吾尔自治区自然科学基金,2016D01C070,用磁控溅射法制备金属氧化物半导体器件(CMOS)所用的金属栅材料,2017/01-2019/12,5万元,主持人。

[3] 新疆大学自然科学基金项目,金属碳化钨材料的制备工艺及性能研究,2017/4-2019/3,5万元,主持人。

发表主要学术论文(注:加*号为通讯作者)

  [1] Litipu Aihaiti, Kamale Tuokedaerhan*, Beysen Sadeh, Min Zhang, Shen Xiang Qian, Abuduwaili Mijiti, Electrical and microstructural properties of Ta-C thin films for metal gate, Mater. Res. Express, 7, 076402, 2020.
  [2] Min Zhang, Meishan Li, Huimin Zhang, Kamale Tuokedaerhan, Aimin Chang, Synthesis of pilot-scale Co2Mn1.5Fe2.1Zn0.4O8fabricated by hydrothermal method for NTC thermistor, Journal of Alloys and Compounds,797, pp:1295-1298,2019.
  [3] ZHANG Min, Kamale Tuokedaerhan, ZHANG Hong-yan, Li Lin, Ultraviolet photodetector based on Au doped TiO2 nanowires array with low dark current, Optoelectronics Letters, 15, pp:0081-0084,2019.
  [4] 张文倩,张敏,王曼,卡马勒·托克达尔汗,新型Ti2O3基湿敏传感器的研制,材料科学与工程学报,37(2),300-303, 2019.
  [5] Min Zhang, Hongyan Zhang, Lin Li, Kamale Tuokedaerhan, Zhenhong Jia, Er-enhanced  humidity sensing performance in black ZnO-based sensor, Journal of Alloys and Compounds,744, pp:364-369,2018.
  [6] K. Tuokedaerhan, K. Kakushima, Y. Kataoka, A. Nishiyama, N. Sugii, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, K. Natori, and H. Iwai, Atomically flat La-silicate/Si interface using tungsten carbide gate electrode with nano-sized grain, Appl. Phys. Lett. Vol. 104, pp: 021601, 2014.
  [7] K. Tuokedaerhan, R. Tan, K. Kakushima, P. Ahmet, Y. Kataoka, A. Nishiyama, N. Sugii, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, K. Natori, T. Hattori, H. Iwai, Stacked sputtering process for Ti, Ta, and W carbide formation for gate metal application, Appl. Phys. Lett., Vol. 103, pp: 111908, 2013.
  [8] K. Tuokedaerhan, R. Tan, K. Kakushima, P. Ahmet, Y. Kataoka, A. Nishiyama, N. Sugii, K. Tsutsui , K. Natori, T. Hattori, H. Iwai. Interface properties of La-silicate MOS capacitors with tungsten carbide gate electrode for scaled EOT. ECS Trans., 50(4), pp: 281-284, 2013.
  [9] S. Hosoda, K. Tuokedaerhan, K. Kakushima, Y. Kataoka, A. Nishiyama, N. Sugii, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, K. Natori, H. Iwai. Reliability of La-silicate MOS capacitors with tungsten carbide gate electrode for scaled EOT. ECS Trans., 58(7), pp:61-64, 2013.
  [10] 卡马勒·托克达尔汗,拜山·沙德克,磁性多层膜中保护层厚度对磁性层NiFe 的影响,新疆大学学报(自然科学),第3期,2010年.
  [11] 卡马勒·托克达尔汗,拜山·沙德克,磁性随机存储器的研究进展,大学物理,28:12,2009.
  [12] 拜山·沙德克,吉吾尔·吉里力, 卡马勒·托克达尔汗,NiFe/Ru薄膜的磁学性能的研究,功能材料,40:9,2009.

国际会议发表(第一作者):

  [1] K. Tuokedaerhan, S. Hosoda, K. Kakushima, Y. Kataoka, A. Nishiyama, N. Sugii, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, K. Natori, H. Iwai. Mobility improvement of La-silicate MOSFET by W2C gate electrode, IEEE EDS WIMNACT-39, Tokyo Institute of Technology, Japan, February 7, 2014.
  [2] K. Tuokedaerhan, S. Hosoda, Y. Nakamura, K. Kakushima, Y. Kataoka, A. Nishiyama, N. Sugii, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, K. Natori, and H. Iwai, Influence of carbon incorporation in W gate electrodes for La-silicate gate dielectrics, IWDTF-13 (Dielectric Thin Film for Future Electron Devices: Science and Technology), University of Tsukuba, Japan, November 7-9, 2013.
  [3] K. Tuokedaerhan, S. Hosoda, K. Kakushima, P. Ahmet, K. Tsutsui, A. Nishiyama, N. Sugii, K. Natori, T. Hattori, H. Iwai. Work Function Extraction of W, Ta and Ti Carbides Formed by Multi Stacked Process. IEEE EDS WIMNACT-37, Tokyo Institute of Technology, Japan, February 18, 2013.
  [4] K. Tuokedaerhan, R. Tan, K. Kakushima, P. Ahmet, Y. Kataoka, A. Nishiyama, N. Sugii, K. Tsutsui , K. Natori, T. Hattori, H. Iwai. Interface properties of La-silicate MOS capacitors with tungsten carbide gate electrode for scaled EOT. 222nd ECS Meeting, Hawaii, USA, October 10, 2012.
  [5] K. Tuokedaerhan, T. Kaneda, M. Mamatrishat, K. Kakushima, P. Ahmet, K. Tsutsui,  A. Nishiyama, N. Sugii, K. Natori, T. Hattori, H. Iwai. Impact of annealing ambient for La2O3/Si capacitor. G-COE PICE international symposium and IEEE EDS mini colloquium on Advanced Hybrid Nano Devices: Prospects by World’s Leading Scientists. Tokyo Institute of Technology, Japan, October 4-5, 2011.
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